碳化矽 (SiC) 已成為高端電子領域的關鍵材料，特別是對於需要高導熱性、高硬度和強大化學穩定性的應用。其應用範圍擴展到電力電子、高溫半導體和尖端裝置。

然而，SiC 基板的加工提出了重大挑戰，包括需要精密研磨方法來最大限度地減少表面粗糙度和地下損傷，同時管理高加工成本。這些挑戰促使人們持續進行研究，以改進磨削技術並了解碳化矽加工過程中涉及的原子級損傷機制。

儘管對碳化矽加工進行了大量研究，但對最新進展及其對提高製造效率的影響的全面了解仍然零散。最近的工作重點是透過研究新的加工方法和材料來解決這些差距，以更好地控制 SiC 晶圓的表面和次表面特性。

最近，由中國大連理工大學尚高領導的機械科學家團隊發表了一篇綜述論文，全面概述了碳化矽加工的最新技術。他們系統回顧了目前SiC晶圓的加工流程、材料去除機制和加工技術，並為SiC的未來發展方向提供了指導晶圓加工。團隊發表

他們的工作在先進製造科學與技術學報。「這篇綜述對碳化矽加工的最先進方法進行了全面分析，並確定了需要進一步研究的關鍵領域，」通訊作者尚高說。“透過整合現有知識並概述未來的研究方向，這項工作旨在指導開發更有效率、更有效的碳化矽晶圓加工技術。”

本文涵蓋了 SiC 加工的各個方面，包括該領域使用的不同研磨、研磨和拋光技術。

它深入研究了材料去除的機制並強調了最新的技術進步。該論文還討論了實現高品質 SiC 晶圓所面臨的挑戰，並提出了幾種克服這些障礙的創新方法。

透過全面分析，審查確定了需要進一步調查的關鍵領域，為未來的研究工作提供了路線圖。

「這項全面的綜述對該領域的研究人員和從業者來說是寶貴的資源，提供了對碳化矽加工現狀的詳細了解，並強調了需要進一步研究的關鍵領域，」尚高補充道。“我們的工作旨在突破目前已知的界限，並刺激該領域的進一步進步。”

更多資訊：王浩翔等人，單晶碳化矽晶片的超精密加工：最先進的技術與前景，先進製造科學與技術學報（2024）。DOI：10.51393/j.jamst.2025010

提供者：清華大學出版社