碳化硅 (SiC) 已成为高端电子领域的关键材料，特别是对于需要高导热性、高硬度和强大化学稳定性的应用。其应用范围扩展到电力电子、高温半导体和尖端器件。

然而，SiC 衬底的加工提出了重大挑战，包括需要精密研磨方法来最大限度地减少表面粗糙度和地下损伤，同时管理高加工成本。这些挑战促使人们不断进行研究，以改进磨削技术并了解碳化硅加工过程中涉及的原子级损伤机制。

尽管对碳化硅加工进行了大量研究，但对最新进展及其对提高制造效率的影响的全面了解仍然零散。最近的工作重点是通过研究新的加工方法和材料来解决这些差距，以更好地控制 SiC 晶圆的表面和次表面特性。

最近，由中国大连理工大学尚高领导的机械科学家团队发表了一篇综述论文，全面概述了碳化硅加工的最新技术。他们系统回顾了当前SiC晶圆的加工流程、材料去除机制和加工技术，并为SiC的未来发展方向提供了指导晶圆加工。团队发表

他们的工作在先进制造科学与技术学报。“这篇综述对碳化硅加工的最先进方法进行了全面分析，并确定了需要进一步研究的关键领域，”通讯作者尚高说。“通过整合现有知识并概述未来的研究方向，这项工作旨在指导开发更高效、更有效的碳化硅晶圆加工技术。”

本文涵盖了 SiC 加工的各个方面，包括该领域使用的不同研磨、研磨和抛光技术。

它深入研究了材料去除的机制并强调了最新的技术进步。该论文还讨论了实现高质量 SiC 晶圆所面临的挑战，并提出了几种克服这些障碍的创新方法。

通过全面分析，审查确定了需要进一步调查的关键领域，为未来的研究工作提供了路线图。

“这项全面的综述对该领域的研究人员和从业者来说是宝贵的资源，提供了对碳化硅加工现状的详细了解，并强调了需要进一步研究的关键领域，”尚高补充道。“我们的工作旨在突破目前已知的界限，并刺激该领域的进一步进步。”

更多信息：王浩翔等人，单晶碳化硅晶片的超精密加工：最先进的技术和前景，先进制造科学与技术学报（2024）。DOI：10.51393/j.jamst.2025010

提供者：清华大学出版社