根據韓國媒體Sedaily報道，SK海力士正計劃升級其無錫工廠。SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的動態隨機存取記憶體（DRAM）生產設備升級至第四代10奈米級晶片製程。儘管具體營運細節尚未確定，但無錫工廠是一個重要的樞紐，貢獻了 SK 海力士 DRAM 產量的約 40%。根據中國媒體《環球時報》報道，此次升級將使 SK 海力士在全球半導體競爭中保持其市場份額，儘管受到美國的限制。上週，SK 海力士總裁 Kwak Noh-Jung 在 CES 2024 期間提到，該公司去年成立了一個內部小組來解決地緣政治問題並開發降低業務風險的方法。[環球時報中文版]

更正：本文的早期版本錯誤地識別了10nm級晶片製程為10nm晶片製程。